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浏阳街道干部因为居民对防疫封了小区出入口提不同意见而入室打人，反应了一些基层干部心里，防疫成了他们工作的全部内容，而且为了达到他们的目标可以不惜采取一切手段。类似极端事件不断被曝光，反应了一个值得重视的现象，依法防疫在一些地方变成任性妄为，法治思维在这些干部心里荡然无存。

国产半导体器件的命名方法二极管的型号命名通常根据国家标准GB_24974规定，由五部分组成。第一部分：用数字表示器件电极的数目。第二部分：用汉语拼音字母表示器件材料和极性。第三部分：用汉语拼音字母表示器件的类型。第四部分：用数字表示器件序号。第五部分：用汉语拼音字母表示规格号。如表5．1所示。表5．1国产半导体器件的命名方法第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分符号意义字母意义字母意义字母意义意义意义2二极管AN型，锗材料P普通X低频小功率(fa<3MHz，Pc<1W)反映二极管、三极管参数的差别反映二极管、三极管承受反向击穿电压的高低。

一、恢复时间不同RS1M是普通的快恢复。ES1J是超快恢复。二、反向时间不同RS1M为250nS。ES1J为35nS。三、最大重复峰值反向电压不同RS1M最大重复峰值反向电压1000V。ES1J最大重复峰值反向电压:600V。二极管RS1M与ES1J的区别一个是普通的快恢复，一个是超快恢复，恢复时间差的比较大。反向恢复时间（tr）的定义：电流通过零点由正向转换到规定低值的时间间隔。

反向恢复电流的波形如图1所示。IF为正向电流，IRM为最大反向恢复电流，Irr为反向恢复电流，通常规定Irr0.1IRM。当t≤t0时，正向电流IIF，当t>t0时，由于整流器件上的正向电压突然变成反向电压，因此正向电流迅速降低，在tt1时刻，I0。然后整流器件上流过反向电流IR，并且IR逐渐增大；在tt2时刻达到最大反向恢复电流IRM值。