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单片机驱动光耦问题？光耦合器驱动场效应晶体管成为开关。您应该在光耦合器的输出端增加一个接地电阻，当输入端施加电信号时，发光器件发光，光接收器件接收到光后产生光电流，从输出端流出，实现“电光”转换，不要用晶体管，驱动电流太大，Npn可以驱动光耦。如果光耦二极管压降为1.7V，如何计算光耦驱动NPN 1的电阻？首先需要确定NPN晶体管的基极电流IB和最大集电极电流ICmax，这些参数可以在晶体管的规格中找到。

光电耦合器的功率不大。让我们使用场效应晶体管。型号是75NF75。对你来说足够强大了。最重要的是驱动功率很小。价格不高，才3.5元。直接连到单片机的I/O口就行了。给10K增加一个1K的电阻。效果很好。不要用晶体管，驱动电流太大。8255可能撑不住。详细加我QQ:。它被称为原子弹。8050或8550加一个1K电阻后可以驱动继电器。

最好连接场效应晶体管。75NF75电流很大。用在普通电动自行车上。用起来也很方便，就像三极管一样。TLP521就可以了。注意三极管的端电压:Vceo55VVeco5V有道理。我设计的电机驱动器都是光耦加MOS晶体管。如果你把它们直接加到继电器上，你必须反向并联二极管。其实我感觉这个电路不用光耦也能实现，为什么521，817也很好用。

通过一个三极管，电流放大倍数100。具体安排要根据你的电路综合考虑。对不起，2mA太小了。如果用晶体管，就得用达林顿晶体管(电流放大倍数可以达到1000以上)。另一种方法是使用达林顿集成电路:ULN2003。ULN2003输入为TTL电平，输出OC开路，每路最大电流达到500mA。输入/输出:1/16；2/15;3/14;

与光有关。它是一种利用光作为媒介来传输电信号的装置。通常光发射器(红外发光二极管LED)和光接收器(光敏半导体管、光敏电阻)封装在同一个管壳内。当输入端施加电信号时，光发射器发光，光接收器接收光并产生光电流，光电流从输出端流出，实现“电光”转换。光耦以光为介质将输入信号耦合到输出端，因其体积小、寿命长、无触点、抗干扰能力强、输出与输入之间绝缘、信号传输单向等优点，在数字电路中得到了广泛应用。

你应该在光耦的输出端增加一个上拉电阻接地，在r3和光耦之间增加一个100k或220k的电阻接地。试试看，如果不行，再降低电阻，51k或者30k。这样，当左边没有光时，光耦的漏电流就会对地放电。下拉电阻的接地电压为12v。这是很清楚的。你的光耦合器也必须有一个小的漏电流。这个小漏电流足以驱动MOSFET开启。这时候你只需要用一个100K的电阻把MOSFET的栅极接地，把这些电荷放掉，就可以防止误导交流了。

MCU I/O端口控制光耦，9012，9013。PNP PNP，NPN都可以驱动光耦。如果光耦二极管电压降至1.7V，微控制器电源5V，5V1.7V3.3V电阻RRU/I3.3/0.015220欧姆流过光耦，电阻值约为220欧姆。驱动时晶体管饱和。

1。首先，需要确定NPN晶体管的基极电流IB和最大集电极电流ICmax。这些参数可以在晶体管的规格中找到。例如，假设IB10mA和ICmax200mA。2.然后我们需要确定光耦的输出电流IF和最大工作电压VCEmax，这些参数也可以在光耦的说明书中找到。比如假设IF10mA，VCEmax30V。3.接下来，您可以计算所需的电阻值。

因此，我们可以得到CTRIB/IF10mA/10mA1。4.根据NPN晶体管的特性，可以得到如下公式:ICβ*IB，其中β是晶体管的放大系数，表示集电极电流和基极电流的比值，因此可以得到βICmax/IB200mA/10mA20。5.根据电路的工作电压和电流，可以计算出所需的电阻值，比如电路的工作电压为5V，电流需要限制在5mA，那么所需的电阻值可以通过欧姆定律计算出来:r (5vvcemax)/IC (5v0.2v)/5ma960ω。

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