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开关电源电路中MOS管击穿的原因有很多，下面简单列出以下几点，不足之处欢迎大家彼此补充。1、开关电源输入电压工作不稳定，温度过高导致变压器工作异常发生磁饱和后，MOS管失去电流抑制作用，导致MOS管导通瞬间流过的电流超过MOS管额定电流值，MOS管损坏击穿，2、MOS管源极、漏极之间电压过高，MOS管长时间工作在漏极、源极之间电压值临界点区域之间，导致MOS管内部晶圆的高压器件损坏。

就是个电子开关。别想多了。先从电子开关入手。然后开放大。有三个工作区。看懂这个曲线。三极管的工作原理三极管是电流放大器件，有三个极，分别叫做集电极C，基极B，发射极E。分成NPN和PNP两种。我们仅以NPN三极管的共发射极放大电路为例来说明一下三极管放大电路的基本原理。一、电流放大下面的分析仅对于NPN型硅三极管。如上图所示，我们把从基极B流至发射极E的电流叫做基极电流Ib；把从集电极C流至发射极E的电流叫做集电极电流Ic。

三极管的放大作用就是：集电极电流受基极电流的控制（假设电源能够提供给集电极足够大的电流的话），并且基极电流很小的变化，会引起集电极电流很大的变化，且变化满足一定的比例关系：集电极电流的变化量是基极电流变化量的β倍，即电流变化被放大了β倍，所以我们把β叫做三极管的放大倍数（β一般远大于1，例如几十，几百）。

在金属中，响应外加场的电子密度非常大，以至于外部电场只能穿透很短的距离进入材料。然而，在半导体中，可以响应外加场的较低密度的电子（可能还有空穴）足够小，以至于场可以穿透到材料中很远。这种场穿透会改变半导体表面附近的导电性。发生表面电导的变化是因为施加的场将电子可用的能级改变到距离表面相当大的深度，这反过来又改变了表面区域中能级的占有率。

两层结构由绝缘体作为左侧层和半导体作为右侧层。这种结构的一个例子是MOS电容器，它是一种由金属栅极触点、具有体触点的半导体本体（例如硅）和中间绝缘层（例如二氧化硅）组成的双端子结构，因此指定O）。导带的最低能级和价带的最高能级。这些电平被正电压V的施加“弯曲”。由绝缘体作为左侧层和半导体作为右侧层。这种结构的一个例子是MOS电容器，它是一种由金属栅极触点、具有体触点的半导体本体（例如硅）和中间绝缘层（例如二氧化硅）组成的双端子结构，因此指定O）。

1、MOS管的工作原理(以N沟道增强型MOS场效应管)它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏极电流的目的。2、在制造管子时，通过工艺使绝缘层中出现大量正离子，故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷，这些负电荷把高渗杂质的N区接通，形成了导电沟道，即使在VGS0时也有较大的漏极电流ID。