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MOS管在电路设计，常被用来做开关使用，那MOS管的栅极加上拉电阻或下拉电阻，你知道原因吗？而在栅极串联一个电阻，这又是为什么？NMOS管加下拉电阻，PMOS管加上拉电阻，阻值一般为10K，这个阻值大小是个经验值。先讲讲为什么要上拉和下拉：1、上电时给MOS管的G极一个确定的电平，因为CPU的IO为高阻态时，MOS管的G极的状态不确定，不稳定。

正如“董事长老豆”所说，栅极电阻R是防止万一场效应管SG或DG击穿时，用来保护前面的PWM输出电路的。而R上并联的电容C的作用是：加速场效应电子电力开关的开通和截止，提高开关频率，减小管子损耗，不使管子的温升过高。分析如下：相对G、S很大的输入等效电阻，该电阻R很小，几乎在高电平或低电平的静态时不会有压降，流过的电流也很小。

栅极电阻太大了会与MOSFET的极间电容形成RC电路会严重印象MOSFET的充放电时间，造成MOSFET消耗功率过高，发热严重。增大栅极电阻式可以起到减小震荡的幅度，但是并不是就说栅极电阻越大越好，栅极电阻大了，会增大MOS管的开启和关断时间，使得MOS管的功耗增大。再看看别人怎么说的。

igbt栅极电阻太小容易导致震荡甚至器件损坏。igbt栅极电阻选择过小，会引起IGBT承受短路过流能力下降，引起关断电压尖峰。IGBT是能源变换与传输的核心器件，俗称电力电子装置的CPU，作为国家战略性新兴产业，在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。

一、栅极电阻Rg的作用1、消除栅极振荡绝缘栅器件(IGBT、MOSFET)的栅射（或栅源）极之间是容性结构，栅极回路的寄生电感又是不可避免的，如果没有栅极电阻，那栅极回路在驱动器驱动脉冲的激励下要产生很强的振荡，因此必须串联一个电阻加以迅速衰减。2、转移驱动器的功率损耗电容电感都是无功元件，如果没有栅极电阻，驱动功率就将绝大部分消耗在驱动器内部的输出管上，使其温度上升很多。